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作者：李永;赵正平;
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所;中国电子科技集团有限公司;固态微波器件与电路全国重点实验室;
摘要：当今信息社会已进入通用人工智能时代，大数据呈指数规律增长，不但要求数据处理速度高速增长，同时也要求数据的传输带宽更宽，推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点，相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势，主要包括低噪声放大器与接收前端，射频-直流整流器与射频能量收集器，功率放大器、RF信号放大器与发射机，振荡器、混频器与频率综合器，移相器、开关、集成无源元件和相控阵，RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面，凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。
关键词：射频(RF)CMOS;;RF BiCMOS;;放大器;;收/发机;;RF能量收集器;;压控振荡器;;频率综合器;;移相器;;相控阵;;微系统集成
