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作者：李贺斌;王书杰;孙聂枫;姜剑;邵会民;康永;谷伟侠;
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所;固态微波器件与电路重点实验室;
摘要：高纯InP是制备高品质单晶的基础，通过分析InP注入合成过程及动力学，阐明了InP快速注入合成与提纯机理。注入合成与提纯的主要机制为：注入合成速率快，其他耗材对合成熔体的污染少；高压气泡形成与迁移过程起到吸收易挥发杂质元素的作用；注入合成后提拉生长可以对多晶锭进一步提纯。基于晶体生长原理，分析了富铟生长和富磷生长缺陷的形成机制。通过控制熔体的配比度，获得了抑制上述缺陷的条件。通过InP快速注入合成实验，在2.5 h内合成18 kg InP多晶，制备出直径150～180 mm适用于6英寸(1英寸=2.54 cm)及8英寸垂直梯度凝固(VGF)法单晶生长用高品质多晶，其迁移率为4 400～4 500 cm~2/(V·s),载流子浓度为1.5×10~(15)～3.5×10~(15) cm~(-3)。
关键词：InP;;注入合成;;提拉生长;;多晶;;提纯;;结晶
