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作者：谢加雨;程鹏铭;牟维凤;
单位：重庆理工大学电气与电子工程学院;
摘要：在传统准谐振反激式变换器中，谷底导通能降低开关损耗。但由于相邻谷底对应的输出功率不连续，导致谷底跳频，造成可闻噪声及功耗增大。采用华虹90 nm BCD工艺设计了一种基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片，采用动态跟随电路提高谷底检测精度，通过动态检测负载来调整谷底导通并实现谷底锁定功能。仿真及测试结果表明，在输入电压为220～311 V、输出电压为15 V的恒压模式下，谷底导通偏移量减小了95.55%;在20%、40%和80%负载下，分别在第7、第6和第3谷底处导通，实现了谷底锁定并解决了谷底跳频问题。
关键词：反激式变换器;;负载调整;;谷底导通;;谷底跳频;;谷底锁定
基金资助：重庆市科委博士直通车科研项目(CSTB2022BSXM-JCX0119)
