来源：期刊VIP网 时间：
作者：吴鉴洋;冯松;杨延飞;韩超;何心怡;曾雨玲;马晓楠;
单位：西安工程大学理学院;
摘要：4H-SiC功率MOSFET因耐高压、耐高温和低损耗等特性，正迅速成为大功率半导体器件的研究热点，广泛应用于中高压领域，具有非常重要的研究价值。从不同的静态特性优化结构和动态特性优化结构方面总结了目前国内外平面型MOSFET与沟槽型MOSFET的研究进展，分析了不同特性优化结构在提升器件性能方面的优势与局限，比较了新型优化结构器件的性能参数。通过对4H-SiC MOSFET不同特性优化结构的比较分析，为未来开发具有更高耐压和更优性能的4H-SiC MOSFET提供了参考。
关键词：半导体功率器件;;结构优化;;MOSFET;;4H-SiC;;品质因数
基金资助：国家重点研发计划项目(2018YFB2200500);; 国家自然科学基金(61204080);; 国家重点实验室基金(SKL201804);; 陕西省重点研发计划项目(2022GY-012);; 陕西省技术创新引导计划项目(2025QCY-KXJ-041);; 江苏省科技副总项目(FZ20240945)
