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作者：邵会民;史睿菁;李早阳;孙聂枫;姜剑;毛旭瑞;宋瑞良;
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所;固态微波器件与电路全国重点实验室;西安交通大学能源与动力工程学院;苏州实验室;中国电科网络通信研究院北京研发中心;
摘要：针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体，建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型，并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明，行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力，使得熔体流动增强且温度分布发生变化；磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸，获得少气孔甚至无气孔的InP晶体，并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。
关键词：磷化铟;;单晶;;孪晶;;半绝缘;;磁场;;位错
