来源：期刊VIP网 时间：
作者：高飞;王英民;程红娟;张嵩;董增印;辛倩;
单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所;山东大学集成电路学院;新型半导体晶体材料技术重点实验室;
摘要：衬底的表面质量对卤化物气相外延（HVPE）法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了（001）面β-Ga_2O_3单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率（v_R）、表面粗糙度（R_a）和表面质量的影响。实验结果表明，采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金刚石液研磨，均可以实现塑性域去除，v_R分别为3.13、1.23、0.25μm/min,R_a分别为16.2、13.2和7.81 nm。在化学机械抛光（CMP）过程中，抛光垫的物性参数直接影响v_R和表面质量，采用阻尼布可以实现R_a小于0.2 nm、无亚表面损伤的原子级平整表面。采用此衬底进行HVPE法生长的同质外延薄膜形貌均匀，未发现加工相关的缺陷。
关键词：(001)面β-Ga_2O_3;;原子级平整;;表面粗糙度;;材料去除速率;;化学机械抛光(CMP)
