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作者：黄岩;韩融;杜剑宇;杨智博;孙士帅;
单位：天津理工大学天津市量子光学与智能光子学重点实验室;天津理工大学理学院;
摘要：为探究零维-二维(0D/2D)混合维度异质结界面电荷转移行为及内部激子调控，采用旋涂法将发光强度高的量子点CdSe@CdS与单层MoS_2结合，制备成0D/2D混合维度异质结CdSe@CdS/MoS_2,并通过光致发光(PL)光谱测试和荧光寿命测量分析界面电荷转移行为及不同激子比例的变化。实验结果表明，异质结中量子点发光峰的荧光猝灭现象及荧光寿命的减弱，证实了界面存在电荷转移行为。随着激光功率的增加，量子点激子占比减小，而MoS_2的A~-激子和A激子占比增大，B激子占比减小。这揭示了混合维度异质结中电荷转移行为和不同激子之间的动态竞争机制，为混合维度光电器件的设计和应用提供了重要的理论依据。
关键词：异质结;;二硫化钼;;量子点;;电荷转移
基金资助：国家自然科学基金项目(12304470);; 天津市自然科学基金青年项目(20JCQNJC00660)
